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台积电、三星、英特尔追求2nm芯片工艺

日期:2024-02-24 13:04:11

6月14日报道称,台积电于2022年北美技术论坛上,首次推出采用先进(N2)制程技术,以及支援N3与N3E制程的独特TSMC FINFLEX技术,相关人士表示台积电将成为全球第1家率先提供2纳米制程代工服务的晶圆厂。

台积电在北美技术论坛透露以下主要技术焦点:支援N3及N3E的TSMC FINFLEX技术。这项技术平台,除了涵盖台积电即将于今年下半年量产的3纳米(N3)技术,并将搭配创新的 TSMC FINFLEX架构。

2NM工艺与N3E技术相比,芯片密度增加约1.1倍,这意味着,在同一环境条件下,可以提升10%至15%的性能,相同频率下,2NM更加节能,台积电计划2025年量产。

除台积电外,韩国三星和美国英特尔也在着手布局设计2NM芯片。

据外媒报道,6月7日前往欧洲开始商务旅行的三星集团副会长李在镕,到访了光刻机制造商阿斯麦的总部,同阿斯麦的CEO及CTO会面,深化两家公司之间的合作事宜。

三星电子与阿斯麦在业务方面已合作多年,阿斯麦的极紫外光刻机对三星电子先进芯片制程工艺至关重要,是必不可少的设备。在这一次会面中,两家公司的高管也探讨了扩大芯片领域合作的方式及极紫外光刻机的采购事宜,以确保7NM及更先进制程工艺的量产。目前三星未公布2NM工艺指标。

RIBBONFET 是英特尔实现的环栅晶体管。该技术提供更快的晶体管开关速度,同时在更小的占位面积内实现与多个鳍相同的驱动电流。

并且准备在2025年推出INTEL 18A工艺制程,在此之后,英特尔 18A已经在2025年初进行开发,并对 RIBBONFET 进行改进,这将实现晶体管性能的又一次重大飞跃。并对 RIBBONFET 进行改进,这将实现晶体管性能的又一次重大飞跃。